由于靶材和阳极表面的电荷积累,直流反应磁控溅射会遇到靶中毒、阳极消失及靶面和电极间打火等问题。这些问题可以通过施加交变电压不断提供释放靶电荷的机会来解决。根据所采用交变电源的不同,又可分为采用正弦波电源的中频溅射法和采用矩形脉冲电源的脉冲溅射,这两种方法在解决上述问题的同时,还可达到较高的沉积速率。Ohno等采用中频反应双极磁控溅射,以Ti(99.99%)为靶材,以未加热的非碱性玻璃为基体,最大沉积速率可达30 nm·min-1,比常规单极磁控溅射高得多。但上述两种溅射技术的控制过程复杂,对设备要求很高。
也有人采用射频溅射技术以Ti为靶材制备TiO2薄膜。射频溅射时采用的气氛为O2和Ar的混合气体,通过控制压力控制所得薄膜的相态;对于一些特殊基体,还要考虑薄膜与基体之间的附着性能,根据基体的性质采取相应的工艺;实际生产中,在低成本前提下大规模镀膜,要求较高的沉积速率,射频溅射沉积速率很低,不适合大规模生产。
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