美国封杀GAA半导体技能出口我国打破3nm工艺要靠自己

放大字体  缩小字体 2019-12-19 03:46:24 作者:责任编辑NO。杜一帆0322浏览次数:5012  

由于众所周知的原因,美国正在收紧高科技的出口,日前美国政府拟定了一份新的高科技出口禁令,包含量子计算机、3D打印及GAA晶体管技能等在内,这其间GAA晶体管技能是半导体职业的新一代技能要害。

我们都知道半导体工艺跟晶体管休戚相关,现在台积电、三星、Intel、格芯量产的先进工艺遍及是依据FinFET鳍式晶体管的,从22nm工艺到下一年才干量产的5nm工艺都运用了FinFET晶体管。

5nm往后半导体工艺制作益发困难,要想取得功能及密度改善,晶体管就要转向新一代结构了,GAA盘绕栅极晶体管便是最有期望的,三星上一年就首先发布了3nm GAA工艺3GAE。

依据官方所说,依据全新的GAA晶体管结构,三星经过运用纳米片设备制作出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技能能够明显增强晶体管功能,首要替代FinFET晶体管技能。

此外,MBCFET技能还能兼容现有的FinFET制作工艺的技能及设备,然后加快工艺开发及出产,最快2022年就能量产。

台积电及Intel还没有详细揭露3nm及以下工艺的概况,不过5nm之后转向GAA晶体管技能也是铁板钉钉了,所以GAA晶体管技能会成为未来几年里半导体工艺的新挑选。

美国封杀GAA晶体管技能出口,国内最大的晶圆代工厂中芯世界及华虹半导体是没可能取得外援了。不过话说回来,即使没有美国的封杀,国内盼望海外技能搬运晋级GAA工艺也是没可能的。

中芯世界本年能够量产14nm工艺,这是国产第一代的FinFET工艺,后续也有改善型的12nm FinFET工艺,该工艺比较14nm晶体管尺度进一步缩微,功耗下降20%、功能提高10%,错误率下降20%。

依据中芯世界之前在财报会议上的信息,12nm工艺应该是他们的N+1工艺,后续还会有更先进的N+2代工艺,只不过官方没有清晰N+2是否便是7nm节点。

总归,美国现在制止出口GAA工艺显然是想封闭我国公司的半导体技能才能,不过这件事现在来说影响并不大,由于国内间隔3nm工艺还有点间隔,国内的半导体公司也早就认识到技能研制要以自己为主,加大出资、招引更多人才自主研制才是处理问题的要害。

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