· iNAND Extreme以业界领先的小型封装提供高达128GB的存储容量
SanDisk闪迪iNAND Extreme嵌入式闪存
iNAND Extreme™目前采用SanDisk闪迪19纳米(nm)*工艺技术制造，满足大容量、高性能的嵌入式NAND闪存产品需要，特别适用于高端平板电脑和智能手机。运行安卓操作系统以及即将问市的Microsoft Windows® 8操作系统的RT版本产品都将受益于iNAND Extreme的大容量、高性能与小尺寸优势。
用19纳米制造技术打造出的iNAND Extreme电路极为紧凑。来比较一下，一张纸的厚度约为0.1毫米(10万纳米)，这意味着一张纸的厚度上可以排布5000个19纳米厚的物体。
NVIDIA(英伟达)公司笔记本产品部门总经理Rene Haas表示：“作为我们重要的合作伙伴，SanDisk闪迪可以充分体现Tegra 3的性能。正如Tegra在各种类型的移动设备上提供了前所未有的超高性能和电池寿命，iNAND Extreme也提供了高性能的存储解决方案，为平板电脑和移动设备创造出世界一流的用户体验。”
SanDisk闪迪的128GB iNAND Extreme产品采用极具竞争力的12mm×16mm封装。该产品符合新的e.MMC™ 4.5规范，连续写入速度可达每秒45兆字节(MB/s)，读取速度可达每秒100 MB/s***。同时，新一代iNAND Extreme的随机写入性能是上一代产品的两倍，随机读取性能大大提升***。此外，iNAND Extreme旨在与当前以及下一代平板电脑和智能手机设备所使用的文件系统实现最佳整合。最新版iNAND Extreme样品将于本月面市，今年夏天可向客户全面供应。
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