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下代旗舰高通骁龙835亮相 三星10nm助攻

http://www.com165.com 时间:2016-11-18 11:44来源:搜狐媒体

  

  【IT168 资讯】近段时间有传言表示高通骁龙的下代旗舰芯片将更名,现在这一消息已经被高通确定,下代旗舰新片将命名为骁龙835,取代目前骁龙821/820,成为顶级移动处理器。并且将延续与三星的代工合作,采用三星的10nm FinFET工艺打造,功耗将会有所降低。

  

  高通公司产品管理高级副总裁Keith Kressin和三星代工营销高级副总裁Ben Suh对外展示了高通骁龙Snapdragon 835芯片,它是第一款利用三星10nm技术制造的手机芯片,其中内建数百万晶体管。今年10月三星宣布在业界实现了10nm FinFET工艺的量产。三星表示10nm FinFET工艺与上一代14nm FinFET工艺相比能够减少30%的芯片尺寸,性能提升27%或功耗下降40%。

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